原子層沉積設備
| ▲ 腔體採不鏽鋼真空焊接製造 ▲ 設備外觀尺寸 : 800(W)m/m X 950(L)m/m X 1200(H)m/m ▲ 基板載台 : 1.基板尺寸 : 4" Single Wafer 2.基板最高加熱溫度 : 400℃ 3.PID溫度控制模組 |
▲ 最多可選擇5組前驅物搭配 ▲ 真空量測 : Pirani Gauge ▲ 系統終極空真度 : <5.0 × 10-3Torr ▲ 搭配PLC 控制系統 +彩色人機介面 ▲ 全系統採自動模式操控 ▲ 可鍍多層膜 |